被熏到yue的记者希望大家关注事件本身

三星突破10纳米DRAM瓶颈_蜘蛛资讯网

28年转入量产。10a至10c三代将持续采用4F²+VCT技术，10d起转向3D DRAM结构。          技术上，单元面积由传统6F²缩减至4F²，可提升单位面积容量30%–50%，兼顾速度与功耗优势；采用IGZO沟道材料抑制漏电，外围电路通过晶圆对晶圆混合键合（PUC）集成，字线材料仍在钼（Mo）与氮化钛（

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发布时间：20:12:32